快捷推出Generation II XS DrMOS元件系列
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采集侠
2018-08-27 21:59

  快捷 半导体公司(Fairchild  Semiconductor)开发出 Generation II XS DrMOS  [整合式驱动器 + MOSFET ]元件系列,这些元件采用6mm x 6mm封装,峰值效率达94%,同时能提供高功率密度 ,可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。

Generation II XS DrMOS

  快捷表示,高效率、高电流处理能力和小外形尺寸,都是电源设计人员为电压调节 器解决方案选择元件时的最重要考虑因素。为满足这一要求,新的Generation II XS DrMOS元件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封装,具有较高的系统效率,在12Vin、1Vout和25A条件下,重负载效率达91.5% 以上,峰值效率则超过94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz开关频率下运作,同时具有最高50A的电流处理能力。

  快捷半导体利用其在MOSFET、闸极驱动器IC和封装技术方面的技术,对Generation II XS DrMOS元件作出最佳化处理,提供更高的效率,并且开发新的功能。这些技术提升使得Generation II XS DrMOS系列元件成为刀锋型服务器、高性能游戏主机板、高性能笔记型计算机、显示卡,以及高电流DC-DC负载点(point-of-load)转换器等应用的理想选择。

  Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和3V三态电压准位以匹配Intel 4.0 DrMOS规范,同时与市场上的多种PWM控制器兼容。这些元件能够显著减少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench MOSFET屏蔽闸极技术而产生的振铃噪声。同步FET还整合了一个萧特基二极管,免除外部缓冲器电路,提高整体性能和功率密度,同时减少占位空间和成本。Generation II XS DrMOS元件还可以为客户加入一项过热警报功能,可在故障期间防止出现过热状况。